No. moduli di memoria

Un modulo di memoria o un blocco di memoria è una piccola scheda su cui sono saldati diversi componenti di memoria (RAM dinamica sotto forma di circuiti integrati). I moduli di memoria formano o ampliano la memoria principale di dispositivi elettronici come computer o stampanti e sono collegati a slot appositamente progettati.

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Tipo di memoria

DDR-SDRAM ("Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory") è un tipo di memoria ad accesso casuale (RAM) attualmente disponibile in tre categorie. DDR-SDRAM con 184 contatti, DDR2-SDRAM con 240 contatti e DDR3-SDRAM anche con 240 contatti. Sono utilizzati principalmente per i moduli di memoria dello standard DIMM o SO-DIMM come memoria principale in PC e laptop.

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Chip di memoria

La memoria ad accesso casuale, abbreviata RAM, è una memoria di informazioni che viene utilizzata come memoria principale specialmente sui computer, solitamente sotto forma di moduli di memoria. Le forme più comuni sono le memorie a semiconduttore. La RAM è realizzata come circuito integrato principalmente in tecnologia siliconica ed è utilizzata in tutti i tipi di dispositivi elettronici.

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Fattore forma memoria

I Dual Inline Memory Module (DIMM) sono moduli di memoria per la memoria principale dei computer. A differenza dei moduli SIMM (Single Inline Memory Module), le DIMM trasmettono segnali diversi sui contatti di connessione sul lato anteriore e posteriore della scheda.

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Memoria tampone RAM

In addition to bandwidth and capacity variants, modules can
1. Optionally implement ECC, which is an extra data byte lane used for correcting minor errors and detecting major errors for better reliability. Modules with ECC are identified by an additional ECC in their designation.
2. Be "registered", which improves signal integrity (and hence potentially clock speed and physical slot capacity) by electrically buffering the signals at a cost of an extra clock of increased latency. Those modules are identified by an additional R in their designation, whereas non-registered (a.k.a. "unbuffered") RAM may be identified by an additional U in the designation.
3. Be Fully buffered modules, which are designated by F or FB and do not have the same notch position as other classes. Fully buffered modules cannot be used with motherboards that are made for registered modules, and the different notch position physically prevents their insertion.

CAS latency

CAS latency is the delay time which elapses between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular column in a selected row, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins.

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tRCD

Il parametro tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) descrive per una DRAM il tempo che deve trascorrere dopo l'attivazione di una riga di testo (attivazione) prima che un comando di lettura possa essere inviato.

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tRP

Il parametro "tRP" ("Row Precharge Time") descrive il tempo minimo che deve trascorrere dopo un comando di precarica prima che un nuovo comando possa essere inviato per attivare una linea nello stesso banco.

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XMP

I Profili di memoria estrema (XMP) sono certificazioni per i moduli di memoria DDR3 del settore PC introdotte da Intel.

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Tensione elettrica

Quindi mentre la corrente elettrica misura il flusso della carica, la tensione misura l'energia richiesta per far fluire questa carica.

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