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Corsair Vengeance SO-DDR3 8GB 2-Kit, 2x 4GB (2x, 4GB, DDR3-1600, SODIMM 204)

Art-Nr 5824052
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Specifiche

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Chip di memoriaDDR3-1600
No. moduli di memoria2 x
Tipo di memoriaDDR3-RAM
Capacità memoria (RAM) per modulo4 GB
Fattore forma memoriaSODIMM 204

Informazioni generali

Produttore Corsair
Tipo di prodotto Memorie
No. di articolo5824052
No. di fabbricazioneCMSX8GX3M2A1600C9

Colore

Colore cassa
Nero
Colore LED
ohne LED

Proprietà memoria principale

i

Proprietà memoria principale

Der Arbeitsspeicher oder „Hauptspeicher ist die Bezeichnung für den Speicher, der die gerade auszuführenden Programme oder Programmteile und die dabei benötigten Daten enthält. Der Hauptspeicher ist eine Komponente der Zentraleinheit. Da der Prozessor unmittelbar auf den Hauptspeicher zugreift, beeinflussen dessen Leistungsfähigkeit und Größe in wesentlichem Maße die Leistungsfähigkeit der gesamten Rechenanlage.

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Settori di utilizzo
Notebook
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Notebook

Ein Notebook – auch Laptop oder Klapprechner – ist ein kleiner, tragbarer Personal Computer.

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No. moduli di memoria
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No. moduli di memoria

Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine (Dynamisches RAM in Form von integrierten Schaltkreisen) aufgelötet sind. Speichermodule bilden oder erweitern den Arbeitsspeicher elektronischer Geräte wie Computer oder Drucker und werden dort in speziell dafür vorgesehene Steckplätze gesteckt.

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2 x
Tipo di memoria
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Tipo di memoria

DDR-SDRAM („Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory“) ist ein Typ von Random Access Memory (RAM), den es aktuell in drei Kategorien gibt. DDR-SDRAM mit 184 Kontakten, DDR2-SDRAM mit 240 Kontakten und DDR3-SDRAM ebenfalls mit 240 Kontakten. Verwendet werden sie hauptsächlich für Speichermodule des DIMM- bzw. SO-DIMM-Standards als Arbeitsspeicher in PCs und Laptops.

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DDR3-RAM
Capacità memoria (RAM) per modulo
4 GB
Chip di memoria
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Chip di memoria

Random-Access-Memory, abgekürzt RAM, ist ein Informations-Speicher, der besonders bei Computern als Arbeitsspeicher Verwendung findet, meist in Form von Speichermodulen. Die gängigsten Formen gehören zu den Halbleiterspeichern. RAM wird als integrierter Schaltkreis hauptsächlich in Silizium-Technologie realisiert und in allen Arten von elektronischen Geräten eingesetzt.

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DDR3-1600
Fattore forma memoria
i

Fattore forma memoria

Als Dual Inline Memory Module (DIMM) (engl. etwa doppelreihiger Speicherbaustein) werden Speichermodule für den Arbeitsspeicher von Computern bezeichnet. Im Gegensatz zu Single Inline Memory Modulen (SIMM) führen DIMMs auf den Anschlusskontakten auf der Vorderseite und auf der Rückseite der Leiterplatte unterschiedliche Signale.

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SODIMM 204
CAS latency
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CAS latency

CAS latency is the delay time which elapses between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular column in a selected row, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins.

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9
tRCD
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tRCD

Der Parameter tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung (activate) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando (read) gesendet werden darf.

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9
tRAS
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tRAS

Der Parameter tRAS (RAS pulse width, Active Command Period, Bank Active Time) beschreibt die Zeit, die nach der Aktivierung einer Zeile (bzw. einer Zeile in einer Bank) verstrichen sein muss, bevor ein Kommando zum Deaktivieren der Zeile (Precharge, Schließen der Bank) gesendet werden darf.

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tRP
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tRP

Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf.

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9
XMP
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XMP

Extreme Memory Profiles (XMP) sind von Intel eingeführte Zertifizierungen für DDR3-Speichermodule aus dem PC-Bereich.

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Alimentazione

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Alimentazione

Tutti i dettagli sull'alimentazione.

Tensione elettrica
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Tensione elettrica

Quindi mentre la corrente elettrica misura il flusso della carica, la tensione misura l'energia richiesta per far fluire questa carica.

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1.50 V

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