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HPE Memory 16GB DDR4-2400MHz (1x, 16Go, RAM DDR4, Registered, ECC)

Art-Nr 5802894
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Description

Améliorez votre système avec plus de RAM et obtenez une augmentation significative des performances. S'il n'y a pas assez de RAM, le système d'exploitation et les programmes sont transférés sur le disque dur.

Spécifications

Spécifications principales

Puce de mémoireDDR4-2400
Nombre de modules de mémoire1 x
Capacité de mémoire (RAM) par module16 Go
Facteur de forme de RAMDIMM 288

Informations générales

Fabricant HPE
Type de produit Mémoires spécifiques au modèle
Numéro d'article5802894
Réf. du fabricant805349-B21
Classement des ventes dans Type de produit Mémoires spécifiques au modèle8 de 437

Propriétés de la mémoire principale

i

Propriétés de la mémoire principale

En informatique la mémoire est un dispositif électrotechnique qui sert à stocker des informations. La mémoire est un composant essentiel, présent dans tous les ordinateurs, ainsi que les consoles de jeux, les GPS et de nombreux appareils.

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Marque adaptée
HP
Mémoire de travail Champ d'application
Serveurs
i

Serveurs

Der Begriff Server als Hardware wird verwendet als Bezeichnung für einen Computer, dessen Hardware auf Serveranwendungen abgestimmt ist, teils durch spezifische Leistungsschwerpunkte (z. B. hoher I/O-Durchsatz, grosser Arbeitsspeicher, viele CPUs, hohe Zuverlässigkeit, dennoch unbedeutende Grafikleistung).

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Nombre de modules de mémoire
i

Nombre de modules de mémoire

Un module de mémoire ou verrou de mémoire est une petite carte de circuit imprimé sur laquelle plusieurs composants de mémoire (RAM dynamique sous forme de circuits intégrés) sont soudés. Les modules de mémoire forment ou étendent la mémoire principale des appareils électroniques tels que les ordinateurs ou les imprimantes et sont branchés dans des emplacements spécialement conçus à cet effet.

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1 x
Type de mémoire
i

Type de mémoire

DDR-SDRAM ("Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory") est un type de mémoire vive (RAM) actuellement disponible en trois catégories. DDR-SDRAM avec 184 contacts, DDR2-SDRAM avec 240 contacts et DDR3-SDRAM également avec 240 contacts. Ils sont principalement utilisés pour les modules de mémoire du standard DIMM ou SO-DIMM comme mémoire principale dans les PC et les ordinateurs portables.

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RAM DDR4
Capacité de mémoire (RAM) par module
16 Go
Puce de mémoire
i

Puce de mémoire

La mémoire vive, ou mémoire système aussi appelée RAM de l'anglais Random Access Memory est la mémoire informatique dans laquelle un ordinateur place les données lors de leur traitement. Les caractéristiques de cette mémoire sont :

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DDR4-2400
Facteur de forme de RAM
i

Facteur de forme de RAM

Le DIMM (pour Dual Inline Memory Module) est un format de barrette de mémoire vive qui est utilisé sur les ordinateurs depuis l’abandon progressif du format SIMM. Ce format est exploité par les mémoires SDRAM et DDR SDRAM

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DIMM 288
Mémoire tampon RAM
i

Mémoire tampon RAM

In addition to bandwidth and capacity variants, modules can
1. Optionally implement ECC, which is an extra data byte lane used for correcting minor errors and detecting major errors for better reliability. Modules with ECC are identified by an additional ECC in their designation.
2. Be "registered", which improves signal integrity (and hence potentially clock speed and physical slot capacity) by electrically buffering the signals at a cost of an extra clock of increased latency. Those modules are identified by an additional R in their designation, whereas non-registered (a.k.a. "unbuffered") RAM may be identified by an additional U in the designation.
3. Be Fully buffered modules, which are designated by F or FB and do not have the same notch position as other classes. Fully buffered modules cannot be used with motherboards that are made for registered modules, and the different notch position physically prevents their insertion.

Registered
ECC
Oui
CAS latency
i

CAS latency

CAS latency is the delay time which elapses between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular column in a selected row, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins.

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17
tRCD
i

tRCD

Le paramètre tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) décrit pour une DRAM le temps qui doit s'être écoulé après l'activation d'une ligne de mot (activate) avant qu'une commande de lecture puisse être envoyée.

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17
tRP
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tRP

Le paramètre "tRP" ("Row Precharge Time") décrit le temps minimum qui doit s'être écoulé après une commande de précharge avant qu'une nouvelle commande puisse être envoyée pour activer une ligne dans la même banque.

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17

Alimentation

i

Alimentation

Détails sur l'approvisionnement énergétique.

Tension électrique
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Tension électrique

La tension électrique est la circulation du champ électrique le long d'un circuit. Elle est souvent confondue avec la différence de potentiel électrique entre deux points d'un circuit électrique. Les deux notions ne coïncident toutefois strictement qu'en régime stationnaire : en régime variable, la circulation du champ électrique n'étant plus conservative en raison du phénomène d'induction électromagnétique, la différence de potentiel perd toute signification physique et seule la tension reste mesurable.

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1.20 V

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ProLiant DL380 Gen9 (Intel Xeon E5-2630 v4 v4, 16Go, 2.5")
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HPE ProLiant DL380 Gen9 (Intel Xeon E5-2630 v4 v4, 16Go, 2.5")
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