Crucial Ballistix Sport XT (2x, 4Go, DDR3-1600, DIMM 240)

Nombre de modules de mémoire

Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine (Dynamisches RAM in Form von integrierten Schaltkreisen) aufgelötet sind. Speichermodule bilden oder erweitern den Arbeitsspeicher elektronischer Geräte wie Computer oder Drucker und werden dort in speziell dafür vorgesehene Steckplätze gesteckt.

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Type de mémoire

DDR-SDRAM ("Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory") est un type de mémoire vive (RAM) actuellement disponible en trois catégories. DDR-SDRAM avec 184 contacts, DDR2-SDRAM avec 240 contacts et DDR3-SDRAM également avec 240 contacts. Ils sont principalement utilisés pour les modules de mémoire du standard DIMM ou SO-DIMM comme mémoire principale dans les PC et les ordinateurs portables.

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Puce de mémoire

La mémoire vive, ou mémoire système aussi appelée RAM de l'anglais Random Access Memory est la mémoire informatique dans laquelle un ordinateur place les données lors de leur traitement. Les caractéristiques de cette mémoire sont :

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Facteur de forme de RAM

Le DIMM (pour Dual Inline Memory Module) est un format de barrette de mémoire vive qui est utilisé sur les ordinateurs depuis l’abandon progressif du format SIMM. Ce format est exploité par les mémoires SDRAM et DDR SDRAM

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Mémoire tampon RAM

In addition to bandwidth and capacity variants, modules can
1. Optionally implement ECC, which is an extra data byte lane used for correcting minor errors and detecting major errors for better reliability. Modules with ECC are identified by an additional ECC in their designation.
2. Be "registered", which improves signal integrity (and hence potentially clock speed and physical slot capacity) by electrically buffering the signals at a cost of an extra clock of increased latency. Those modules are identified by an additional R in their designation, whereas non-registered (a.k.a. "unbuffered") RAM may be identified by an additional U in the designation.
3. Be Fully buffered modules, which are designated by F or FB and do not have the same notch position as other classes. Fully buffered modules cannot be used with motherboards that are made for registered modules, and the different notch position physically prevents their insertion.

CAS latency

CAS latency is the delay time which elapses between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular column in a selected row, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins.

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tRCD

Der Parameter tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung (activate) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando (read) gesendet werden darf.

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tRAS

Der Parameter tRAS (RAS pulse width, Active Command Period, Bank Active Time) beschreibt die Zeit, die nach der Aktivierung einer Zeile (bzw. einer Zeile in einer Bank) verstrichen sein muss, bevor ein Kommando zum Deaktivieren der Zeile (Precharge, Schließen der Bank) gesendet werden darf.

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tRP

Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf.

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Tension électrique

La tension électrique est la circulation du champ électrique le long d'un circuit. Elle est souvent confondue avec la différence de potentiel électrique entre deux points d'un circuit électrique. Les deux notions ne coïncident toutefois strictement qu'en régime stationnaire : en régime variable, la circulation du champ électrique n'étant plus conservative en raison du phénomène d'induction électromagnétique, la différence de potentiel perd toute signification physique et seule la tension reste mesurable.

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