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CHF 41.–

Corsair Mac Memory CMSA4GX3M1A1333C9 (1x, 4GB, DDR3-RAM)

Apple qualified - Steigern Sie die Performance Ihres Macs

Art-Nr 3456773
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Beschreibung

Das CMSA4GX3M1A1333C9 ist ein 4-GB-DDR3-1333-Speichermodul (PC3-10666) von Corsair. Das 204-Pin-SO-DIMM ist für den Einsatz in Notebooks oder kompakten Desktoprechnern, wie Macbooks oder iMacs mit entsprechenden Steckplätzen. Das Modul ist auf eine CAS-Latenz von 9 bei 1333 MHz programmiert und benötigt 1,5 Volt Spannung.

Passende Modelle finden Sie in der Kompatibilitätsliste.
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Spezifikationen

Die wichtigsten Spezifikationen auf einen Blick

Arbeitsspeicher ChipDDR3-1333
Anzahl Speichermodule1 x
Speicherkapazität (RAM) pro Modul4 GB
Arbeitsspeicher FormfaktorSODIMM 204

Allgemeine Informationen

Hersteller Corsair
Produkttyp Modellspezifischer Arbeitsspeicher
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Modellspezifischer Arbeitsspeicher

Modellspezifischer Arbeitsspeicher bzw. RAM bezieht sich immer auf ein bestimmtes PC- oder Notebook-Modell bzw. allenfalls auch eine Modellreihe. D.h. dass solche Artikel nur für die angegebenen Marken und Geräte funktionieren und nicht beliebig als RAM verwendet werden können. Hier bieten wir dir die gängigsten Brands wie Acer, Apple, Asus, Dell, ELO, Fujitsu, HP, IBM, Lenovo, Samsung, Sony und Toshiba an.

Artikelnummer3456773
Herstellernr.CMSA4GX3M1A1333C9

Arbeitsspeicher

i

Arbeitsspeicher

Der Arbeitsspeicher oder „Hauptspeicher ist die Bezeichnung für den Speicher, der die gerade auszuführenden Programme oder Programmteile und die dabei benötigten Daten enthält. Der Hauptspeicher ist eine Komponente der Zentraleinheit. Da der Prozessor unmittelbar auf den Hauptspeicher zugreift, beeinflussen dessen Leistungsfähigkeit und Größe in wesentlichem Maße die Leistungsfähigkeit der gesamten Rechenanlage.

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Passende Marke
Apple
Arbeitsspeicher Anwendungsbereich
Notebook
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Notebook

Ein Notebook – auch Laptop oder Klapprechner – ist ein kleiner, tragbarer Personal Computer.

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,
Desktop PC
Anzahl Speichermodule
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Anzahl Speichermodule

Ein Speichermodul oder Speicherriegel ist eine kleine Leiterplatte, auf der mehrere Speicherbausteine (Dynamisches RAM in Form von integrierten Schaltkreisen) aufgelötet sind. Speichermodule bilden oder erweitern den Arbeitsspeicher elektronischer Geräte wie Computer oder Drucker und werden dort in speziell dafür vorgesehene Steckplätze gesteckt.

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1 x
Arbeitsspeichertyp
i

Arbeitsspeichertyp

DDR-SDRAM („Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory“) ist ein Typ von Random Access Memory (RAM), den es aktuell in drei Kategorien gibt. DDR-SDRAM mit 184 Kontakten, DDR2-SDRAM mit 240 Kontakten und DDR3-SDRAM ebenfalls mit 240 Kontakten. Verwendet werden sie hauptsächlich für Speichermodule des DIMM- bzw. SO-DIMM-Standards als Arbeitsspeicher in PCs und Laptops.

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DDR3-RAM
Speicherkapazität (RAM) pro Modul
4 GB
Arbeitsspeicher Chip
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Arbeitsspeicher Chip

Random-Access-Memory, abgekürzt RAM, ist ein Informations-Speicher, der besonders bei Computern als Arbeitsspeicher Verwendung findet, meist in Form von Speichermodulen. Die gängigsten Formen gehören zu den Halbleiterspeichern. RAM wird als integrierter Schaltkreis hauptsächlich in Silizium-Technologie realisiert und in allen Arten von elektronischen Geräten eingesetzt.

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DDR3-1333
Arbeitsspeicher Formfaktor
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Arbeitsspeicher Formfaktor

Als Dual Inline Memory Module (DIMM) (engl. etwa doppelreihiger Speicherbaustein) werden Speichermodule für den Arbeitsspeicher von Computern bezeichnet. Im Gegensatz zu Single Inline Memory Modulen (SIMM) führen DIMMs auf den Anschlusskontakten auf der Vorderseite und auf der Rückseite der Leiterplatte unterschiedliche Signale.

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SODIMM 204
CAS latency
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CAS latency

CAS latency is the delay time which elapses between the moment a memory controller tells the memory module to access a particular column in a selected row, and the moment the data from the given array location is available on the module's output pins.

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9
tRCD
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tRCD

Der Parameter tRCD (RAS-to-CAS delay, row-to-column delay) beschreibt bei einem DRAM die Zeit, die nach der Aktivierung einer Wortleitung (activate) verstrichen sein muss, bevor ein Lesekommando (read) gesendet werden darf.

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9
tRAS
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tRAS

Der Parameter tRAS (RAS pulse width, Active Command Period, Bank Active Time) beschreibt die Zeit, die nach der Aktivierung einer Zeile (bzw. einer Zeile in einer Bank) verstrichen sein muss, bevor ein Kommando zum Deaktivieren der Zeile (Precharge, Schließen der Bank) gesendet werden darf.

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24
tRP
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tRP

Der Parameter „tRP“ („Row Precharge Time“) beschreibt die Zeit, die nach einem Precharge-Kommando mindestens verstrichen sein muss, bevor ein erneutes Kommando zur Aktivierung einer Zeile in der gleichen Bank gesendet werden darf.

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Energieversorgung

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Energieversorgung

Details zur Energieversorgung.

Spannung
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Spannung

Die elektrische Spannung ist eine physikalische Größe, die angibt, wie viel Arbeit oder Energie nötig ist, um ein Objekt mit einer bestimmten elektrischen Ladung innerhalb eines elektrischen Feldes zu bewegen. Spannung ist also das spezifische Arbeitsvermögen der Ladung. Sie ist eine Feldgröße, die in einem großen Größenordnungsbereich auftritt.

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